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CVD化學(xué)氣相沉積裝置 |
1、升華室主要包括有不銹鋼容器,不銹鋼高溫閥、壓力表、電熱合金絲發(fā)熱體、質(zhì)子流量計(jì)、熱電偶、溫控裝置和保溫系統(tǒng)。主要用于對(duì)前驅(qū)體的加熱升華和調(diào)控通入反應(yīng)室的氣體流量, 控溫溫度可以在100-700℃之間自由設(shè)定,由K分度號(hào)熱電偶+精密數(shù)顯程序控溫儀實(shí)現(xiàn)升華室溫度的自動(dòng)程序升降,控溫精度:±1℃,升華室配置數(shù)量為2個(gè)。 2、反應(yīng)室主要包括不銹鋼容器、壓力表、質(zhì)子流量計(jì)、電熱合金絲發(fā)熱體、熱電偶、溫控系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、保溫系統(tǒng)、載物臺(tái)?販販囟瓤梢栽100-900℃之間自由設(shè)定,由K分度號(hào)熱電偶+精密數(shù)顯程序控溫儀實(shí)現(xiàn)反應(yīng)室溫度的自動(dòng)程序升降,控溫精度:±1℃,反應(yīng)室配置數(shù)量為1個(gè)。 3、氣路系統(tǒng)采用∮6×1mm,316L材質(zhì)不銹鋼管實(shí)現(xiàn)氣體的運(yùn)輸、氣體流量的精確控制、減壓閥的準(zhǔn)確快速切換以及廢氣的處理。在氣體運(yùn)輸過程中,需要對(duì)管道進(jìn)行加熱保溫處理,防止混合氣體在運(yùn)輸過程中發(fā)生冷凝,加熱系統(tǒng)由K分度號(hào)熱電偶+智能數(shù)顯控溫儀+電熱合金絲發(fā)熱體實(shí)現(xiàn)氣路管道的溫度控制,控溫精度:±1℃。 4、真空系統(tǒng)主要用于控制反應(yīng)室內(nèi)壓強(qiáng),保證化學(xué)氣相沉積反應(yīng)能在預(yù)定的壓強(qiáng)下進(jìn)行實(shí)驗(yàn),真空度:10Pa。
CVD化學(xué)氣相沉積 化學(xué)氣相沉積反應(yīng)裝置 CVD管式爐 |
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